Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQP4N80
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQP4N80
FQP4N80 Hakkında
FQP4N80, Rochester Electronics tarafından üretilen 800V N-Channel Power MOSFET transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 3.9A sürekli drain akımı ve 3.6Ω maksimum Rds(on) değeri ile yüksek güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon görevlerinde kullanılır. 130W güç disipasyon kapasitesi ve -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı ile endüstriyel, tıbbi ve enerji yönetimi sistemlerinde tercih edilmektedir. Gate charge karakteristiği ve düşük input kapasitesi ile hızlı anahtarlama işlemleri sağlar. Through-hole montajı sayesinde geleneksel PCB tasarımlarında kolayca entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 880 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 130W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.6Ohm @ 1.95A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok