Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQP4N80

MOSFET N-CH 800V 3.9A TO220-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
FQP4N80

FQP4N80 Hakkında

FQP4N80, onsemi tarafından üretilen 800V N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek gerilim uygulamalarında anahtar görevi üstlenmek için tasarlanmıştır. 3.9A sürekli drenaj akımı ve 3.6Ohm maksimum RDS(on) değeri ile güç elektronik devrelerinde verimli çalışma sağlar. 25nC gate charge değeri hızlı anahtarlama olanağı tanır. Endüstriyel kontrol sistemleri, güç kaynakları, invertörler ve yüksek gerilim DC-DC çevirici uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, aktif üretimde olup geniş bir sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.9A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 880 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 130W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.6Ohm @ 1.95A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok