Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQP4N50
3.4A, 500V, 2.7OHM, N-CHANNEL MO
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQP4N50
FQP4N50 Hakkında
FQP4N50, Rochester Electronics tarafından üretilen 500V N-Channel MOSFET transistördür. 3.4A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip olan bu bileşen, 2.7Ohm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan transistör, güç elektronikleri uygulamalarında anahtar görevi yapar. Yüksek voltaj yalıtlaması ve geniş sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) nedeniyle endüstriyel kontrol devreleri, güç kaynakları, motor sürücüleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. 13nC gate charge ile hızlı anahtarlamaya uygun bir devre tasarımı mümkündür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 460 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 70W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7Ohm @ 1.7A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok