Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQP4N25
MOSFET N-CH 250V 3.6A TO220-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQP4N25
FQP4N25 Hakkında
FQP4N25, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 250V drain-source gerilimi ve 3.6A sürekli drain akımı ile çalışan bu bileşen, yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan komponentin maksimum 52W güç tüketim kapasitesi vardır. 1.75Ω RDS(on) değeri ile iletim kayıpları düşüktür. -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilen FQP4N25, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC konvertörleri ve indüktif yük anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Gate gerilimi maksimum ±30V olup, eşik gerilimi 5V'dir. Komponentin düşük kapasitansı (200pF) hızlı komütasyon sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.6 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 200 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 52W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.75Ohm @ 1.8A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok