Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQP4N20L
MOSFET N-CH 200V 3.8A TO220-3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQP4N20L
FQP4N20L Hakkında
FQP4N20L, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ve 3.8A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponentin maksimum gate-source gerilimi ±20V'dir. 1.35Ω drain-source on dirençi (10V gate gerilimi, 1.9A akımda) ile anahtarlama uygulamalarında verimli çalışır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, güç yönetimi, motor kontrolü, anahtarlama güç kaynakları ve genel anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda kullanılır. 45W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile endüstriyel ve tüketici elektroniği tasarımlarında tercih edilen bir bileşendir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.2 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 310 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 45W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.35Ohm @ 1.9A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok