Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQP44N10

POWER MOSFET, N-CHANNEL, QFET, 1

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
FQP44N10

FQP44N10 Hakkında

FQP44N10, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 43.5A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 39mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 62nC gate charge ve 1800pF input kapasitanslı yapısı hızlı anahtarlama uygulamaları için uygundur. TO-220-3 paketinde sunulan bileşen, ±25V gate-source gerilimi aralığında çalışır. -55°C ile 175°C arasında sıcaklık işletim aralığına sahip olup, 146W maksimum güç yayılımı gerçekleştirebilir. Güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 43.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1800 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 146W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 39mOhm @ 21.75A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok