Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQP3P50
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQP3P50
FQP3P50 Hakkında
FQP3P50, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel Power MOSFET transistörüdür. 500V drain-source gerilimi ve 2.7A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç elektroniği uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paket tipinde sunulan bu komponent, yüksek gerilim anahtarlama devreleri, güç kaynakları, motor sürücüleri ve DC-DC dönüştürücülerde anahtarlama elemanı olarak görev yapar. 10V gate sürüm geriliminde 4.9Ω maksimum RDS(on) direnci ile verimli çalışır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 660 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 85W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.9Ohm @ 1.35A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok