Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQP3N80C
MOSFET N-CH 800V 3A TO220-3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQP3N80
FQP3N80C Hakkında
FQP3N80C, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 800V drenaj-kaynak gerilimi (Vdss) ve 3A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 4.8Ω maksimum on-direnci (Rds On) ile anahtarlama kaybını minimumda tutar. 107W maksimum güç saçma kapasitesi sayesinde güç amplifikatörleri, switching regülatörleri, inverterler ve motor kontrol devrelerinde uygulanır. TO-220-3 paketinde sunulan komponent -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. ±30V gate gerilim sınırlaması ile güvenli kontrol sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 705 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 107W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8Ohm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok