Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQP3N60

MOSFET N-CH 600V 3A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
FQP3N60

FQP3N60 Hakkında

FQP3N60, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source voltajına ve 3A sürekli drain akımına sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Maksimum 3.6Ω on-resistance değeri ile düşük kayıp işletme sağlar. 75W güç tüketimi kapasitesiyle güç elektronikleri, motor kontrol devreleri, AC/DC dönüştürücüler ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi endüstriyel uygulamalara uygundur. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 450 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.6Ohm @ 1.5A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok