Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQP3N50C
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQP3N50C
FQP3N50C Hakkında
FQP3N50C, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilim kapasitesi ve 3A sürekli drain akımı ile yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 2.5Ω maksimum RDS(on) direncine sahip olup, -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri, şarj kontrol sistemleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilmektedir. 10V sürücü gerilimi ile kontrol edilebilir ve maksimum 62W güç tüketebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 365 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 62W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5Ohm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok