Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQP3N30

MOSFET N-CH 300V 3.2A TO220-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
FQP3N30

FQP3N30 Hakkında

FQP3N30, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 300V drain-source gerilim kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 3.2A sürekli drain akımı ve 55W maksimum güç tüketimi ile orta güç seviyesi anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde yer alır. TO-220-3 paketinde sunulan bileşen, 2.2Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans gösterir. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri, anahtarlamalı regülatörler ve genel amaçlı switching uygulamalarında kullanılmaya uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.2A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 300 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 230 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Last Time Buy
Power Dissipation (Max) 55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2Ohm @ 1.6A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok