Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQP32N20C
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQP32N20C
FQP32N20C Hakkında
FQP32N20C, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 200V drain-source voltajında 28A sürekli akım kapasitesine sahip, TO-220-3 paketinde sunulan bir güç transistörüdür. 82mOhm maksimum on-resistance değeri ile anahtarlama ve güç kontrol uygulamalarında kullanılır. ±30V gate voltajı aralığında çalışabilen bu transistör, motor kontrol devreleri, güç kaynakları, DC-DC konvertörleri ve endüstriyel elektronik uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında sıcaklık aralığında stabil çalışma sağlar ve 156W maksimum güç dissipasyonuna dayanabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 28A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2200 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 156W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 82mOhm @ 14A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok