Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQP32N12V2
MOSFET N-CH 120V 32A TO220-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQP32N12V2
FQP32N12V2 Hakkında
FQP32N12V2, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponent, 120V drain-source gerilimi ve 32A sürekli drain akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 50mOhm maksimum on-direnci (10V gate geriliminde) ile verimli anahtarlama sağlar. 150W güç yayınlama kapasitesi sayesinde motor kontrolü, güç dönüştürücüleri, PWM uygulamaları ve anahtarlı güç kaynakları gibi endüstriyel elektronik sistemlerde yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına sahip olup, ±30V maksimum gate gerilimi ile güvenli çalışma parametreleri sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 32A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 120 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 53 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1860 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 16A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok