Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQP2P25

MOSFET P-CH 250V 2.3A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
FQP2P25

FQP2P25 Hakkında

FQP2P25, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 250V drain-source gerilimi ve 2.3A sürekli dren akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç elektronik devrelerinde anahtarlama uygulamaları için kullanılır. 4Ω maksimum on-state direnci (Rds On) ile verimli işletme sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 52W maksimum güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. CMOS teknolojisine dayalı yapısı ile düşük ön yükü (8.5nC) ve hızlı anahtarlama özelliği sunar. Endüstriyel kontrol, motor sürücüsü ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. Not: Bu ürün üretime devam edilmemektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.3A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 250 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 250 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4Ohm @ 1.15A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok