Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQP2NA90

MOSFET N-CH 900V 2.8A TO220-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
FQP2NA90

FQP2NA90 Hakkında

FQP2NA90, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 900V drain-source voltaj derecelendirmesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 2.8A sürekli drain akımı ve 5.8Ω maksimum RDS(on) değeri ile orta güç seviyesi uygulamalara uygun özelliklere sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, anahtarlama uygulamaları ve elektrik dönüştürücülerde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sağlar. 20nC gate charge ile kontrol devrelerinden minimum enerji tüketimi gerektirir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 900 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 680 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.8Ohm @ 1.4A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok