Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQP2NA90
MOSFET N-CH 900V 2.8A TO220-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQP2NA90
FQP2NA90 Hakkında
FQP2NA90, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 900V drain-source gerilimi ve 2.8A sürekli drain akımı ile yüksek gerilim uygulamaları için tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde gelmektedir. 5.8Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. Gate charge 20nC ve input kapasitansi 680pF olarak belirtilmiştir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir işletme yapabilir. Güç desipatisyonu 107W'a kadar desteklemektedir. Endüstriyel güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Parça obsolete durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 680 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 107W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.8Ohm @ 1.4A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok