Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQP2N90
MOSFET N-CH 900V 2.2A TO220-3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQP2N90
FQP2N90 Hakkında
FQP2N90, onsemi tarafından üretilen 900V yüksek gerilim N-Channel MOSFET transistördür. TO-220-3 paket tipi ile sunulan bu bileşen, 2.2A sürekli dren akımı kapasitesine ve 7.2Ω maksimum RDS(on) değerine sahiptir. 10V gate sürücü gerilimi ile kontrol edilebilen bileşen, anahtarlama uygulamalarında, güç kaynakları, invertörler ve yüksek gerilim dönüştürücü devrelerinde kullanılır. Maksimum 85W güç tüketebilen transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Düşük kapı yükü (15nC) ve 500pF maksimum giriş kapasitansı ile hızlı anahtarlama özelliği gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 500 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 85W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.2Ohm @ 1.1A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok