Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQP2N60C
MOSFET N-CH 600V 2A TO220-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQP2N60C
FQP2N60C Hakkında
FQP2N60C, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilim ve 2A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç yönetimi sistemleri ve DC-DC dönüştürücülerde yer alır. 4.7Ohm maksimum RDS(on) değeri ile enerji kaybı düşüktür. -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilir ve 54W güç harcanabilir. Vgs(th) değeri 4V @ 250µA olup, kontrol devresinden kolayca tetiklenebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 235 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 54W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.7Ohm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok