Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQP2N60
MOSFET N-CH 600V 2.4A TO220-3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQP2N60
FQP2N60 Hakkında
FQP2N60, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 2.4A sürekli drain akımı ile çalışır. TO-220-3 paketinde üretilen bu bileşen, anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 4.7Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Gate threshold gerilimi 4V ile hızlı anahtarlama özelliği sunmuştur. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve maksimum 64W güç tüketebilir. Güç kaynakları, motor kontrolörleri, invertörler ve anahtarlama devrelerinde uygulanabilir. Devre tasarımında yüksek voltajlı anahtarlama işlemleri için tercih edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 350 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 64W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.7Ohm @ 1.2A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok