Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQP2N60
MOSFET N-CH 600V 2.4A TO220-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQP2N60
FQP2N60 Hakkında
FQP2N60, Rochester Electronics tarafından üretilen bir N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilimi ve 2.4A sürekli drenaj akımı ile yüksek gerilim uygulamalarına uygun tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 4.7Ω maksimum RDS(on) değeri ile iletim kaybını minimalize eder. 11nC gate charge karakteristiği ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. Sürücü devreleri, invertör uygulamaları, güç kaynakları ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışır ve 64W maksimum güç dağıtabilir. Kontrol edilen dikkatli şekilde anahtarlama gerektiren yüksek gerilim devrelerine uygun bir üründür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 350 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 64W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.7Ohm @ 1.2A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok