Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQP2N30

MOSFET N-CH 300V 2.1A TO220-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
FQP2N30

FQP2N30 Hakkında

FQP2N30, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 300V drain-source gerilimi ve 2.1A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paket tipinde Through Hole montajı destekler. 40W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile anahtarlama devreleri, motor kontrol, DC-DC konvertörler ve güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir. 10V gate sürücü gerilimi ile standart lojik devrelerle uyumlu çalışabilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sağlar. Düşük gate charge (5 nC) ve 3.7Ω RDS(on) ile verimli switching işlemi gerçekleştirir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.1A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 300 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 130 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.7Ohm @ 1.05A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok