Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQP24N08
MOSFET N-CH 80V 24A TO220-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQP24N08
FQP24N08 Hakkında
FQP24N08, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) olup, 80V drain-source geriliminde 24A sürekli drenaj akımını destekler. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, 60mOhm maksimum Rds(on) değeri ile düşük anahtarlama kayıpları sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışan bu bileşen, 75W maksimum güç dağıtımına sahiptir. Güç elektroniği uygulamalarında, güç kaynakları, motor kontrolü, yüksek akımlı anahtarlama devreleri ve indüktif yükler için yaygın olarak kullanılmaktadır. Gate-source gerilimi maksimum ±25V, Vgs(th) ise 4V @ 250µA olup, 10V drive voltajında optimal performans gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 24A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 750 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 75W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 12A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok