Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQP20N06TSTU
MOSFET N-CH 60V 20A TO220-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQP20N06
FQP20N06TSTU Hakkında
FQP20N06TSTU, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel güç MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi ve 20A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate geriliminde 60mOhm on-state direnci (Rds On) ile düşük geçiş kaybı sağlar. Motor kontrol, anahtarlama güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve sürücü devrelerinde uygulanır. -55°C ile 175°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. Ürün kullanım dışı (obsolete) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 590 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 53W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok