Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQP20N06L

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
FQP20N06L

FQP20N06L Hakkında

FQP20N06L, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 21A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paketinde sağlanan bu transistör, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır. 55mΩ maksimum on-direnci, düşük güç kaybı gerektiren uygulamalar için uygun hale getirir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. TTL/CMOS uyumlu giriş seviyesi ile standart kontrol devrelerine kolayca entegre edilebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 21A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 630 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 53W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 10.5A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok