Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQP20N06
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQP20N06
FQP20N06 Hakkında
FQP20N06, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 60V drain-source voltaj ve 20A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, güç elektronikleri uygulamalarında anahtarlama işlevi görmektedir. TO-220-3 paket tipiyle through-hole montajına uygun olan transistör, -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklıklarında kullanılabilir. 60mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimlı güç kontrolü sağlar. Motor kontrol, PWM uygulamaları, güç kaynakları ve endüstriyel anahtarlama devreleri gibi alanlarda tercih edilmektedir. 10V gate sürüş voltajında optimum performans sunan bu MOSFET, 53W maksimum güç dağılımı kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 590 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 53W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok