Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQP1N60
MOSFET N-CH 600V 1.2A TO220-3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQP1N60
FQP1N60 Hakkında
FQP1N60, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilimi ve 1.2A sürekli drain akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılmaktadır. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponent, 10V kapı geriliminde 11.5Ω RDS(on) değerine sahiptir. 40W maksimum güç tüketimi ile anahtarlama devreleri, güç kaynakları, motor kontrol ve elektrik konverter uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına ve 6nC gate charge değerine sahiptir. NOT: Bu ürün üretimi sonlandırılmış (Obsolete) olup, yeni tasarımlarda eşdeğer alternatif bileşenlerin kullanılması önerilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 150 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.5Ohm @ 600mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok