Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQP19N20L
MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQP19N20L
FQP19N20L Hakkında
FQP19N20L, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V Drain-Source gerilimi ve 21A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç anahtarlama uygulamalarında, inverter devrelerde, motor sürücülerinde ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. 140mΩ maksimum kanal direnci (10V Vgs'de) ve 140W maksimum güç dağılımı ile, orta güçlü anahtarlama işlemleri için tasarlanmıştır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, ±20V maksimum Gate-Source gerilimi toleransına sahiptir. Through-hole montaj türü ile standart PCB uygulamalarına uygun olup, endüstriyel ve ticari uygulamalarda güvenilir performans sağlar. Kompakt tasarımı ve düşük termal direnç, yüksek yoğunluklu elektronik tasarımlara elverişlidir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2200 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 140W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140mOhm @ 10.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok