Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQP19N20CTSTU
MOSFET N-CH 200V 19A TO220-3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQP19N20CT
FQP19N20CTSTU Hakkında
FQP19N20CTSTU, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V dren-kaynak gerilimi (Vdss) ve 19A sürekli dren akımı (Id) kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sağlanan bu transistör, anahtarlama devreleri, motor kontrol üniteleri, DC/DC dönüştürücüler ve güç kaynağı tasarımlarında tercih edilir. 10V gate voltajında 170mΩ maksimum on-direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışır. 139W maksimum güç disipasyonu kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarına uygun bir çözümdür. Vgs(th) eşik gerilimi 4V olup standart TTL/CMOS lojik seviyeleri ile sürülür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 53 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1080 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 139W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170mOhm @ 9.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok