Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQP19N20C
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQP19N20C
FQP19N20C Hakkında
FQP19N20C, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 200V drain-source gerilim (Vdss) kapasitesine ve 19A sürekli drenaj akımına sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek gerilim uygulamalarında anahtar ve güç kontrol işlevlerinde kullanılır. 170mΩ maksimum on-state direnci ile verimli enerji yönetimi sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Endüstriyel kontrol devreleri, DC-DC konvertörler, motor sürücüleri ve güç amplifikasyon uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 53 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1080 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 139W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170mOhm @ 9.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok