Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQP19N20C
MOSFET N-CH 200V 19A TO220-3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQP19N20C
FQP19N20C Hakkında
FQP19N20C, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 200V drain-source voltaj ve 19A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol devreleri, güç kaynakları, anahtarlama uygulamaları ve güç dönüştürücülerde yaygın olarak tercih edilir. 170mΩ maksimum drain-source direnci ve 10V gate sürüş voltajıyla etkin komutasyon sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışan bileşen, endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 53 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1080 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 139W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170mOhm @ 9.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok