Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQP19N10L
MOSFET N-CH 100V 19A TO220-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQP19N10L
FQP19N10L Hakkında
FQP19N10L, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ve 19A sürekli akım kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, motor kontrolü, güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak uygulanır. 75W maksimum güç yayılımı özelliğine sahip olan FQP19N10L, 10V gate geriliminde 100mΩ maksimum on-direnci ile çalışır. -55°C ile +175°C arası sıcaklık aralığında çalışabilir. Cihaz obsolete durumundadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 870 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 75W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 9.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok