Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQP19N10
MOSFET N-CH 100V 19A TO220-3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQP19N10
FQP19N10 Hakkında
FQP19N10, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 19A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 10V gate geriliminde 100mΩ RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-220-3 paket tipi ile montajı kolaydır. Motor kontrol, güç kaynakları, invertörler ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ~ 175°C sıcaklık aralığında çalışabilir. 75W maksimum güç tüketimine sahiptir. NOT: Bu ürün obsolete (üretimi durdurulmuş) durumundadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 780 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 75W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 9.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok