Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQP18N50V2
MOSFET N-CH 500V 18A TO220-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQP18N50V2
FQP18N50V2 Hakkında
FQP18N50V2, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 500V drain-source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılan bu bileşen, 18A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paket tipi sayesinde kolay montaj ve etkili ısı yönetimi sağlar. 265mOhm (10V, 9A koşullarında) olan RDS(on) değeri ve 55nC gate charge karakteristiği ile güç elektronik devrelerinde anahtar elemanı olarak görev yapar. İnverter, konvertör, motor kontrolü ve endüstriyel güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, 208W maksimum güç dağılımı kapasitesine sahiptir. Not: Ürün obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 55 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3290 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 208W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 265mOhm @ 9A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok