Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQP17P06

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
FQP17P06

FQP17P06 Hakkında

FQP17P06, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET güç transistörüdür. 60V Drain-Source gerilimi ve 17A sürekli akım kapasitesiyle tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, 120mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılmaktadır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında 79W güç yayınımı kapasitesiyle endüstriyel ve consumer elektroniği uygulamalarında yer almaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 900 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 8.5A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok