Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQP15P12
MOSFET P-CH 120V 15A TO220-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQP15P12
FQP15P12 Hakkında
FQP15P12, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) bileşenidir. 120V drain-source voltaj kapasitesi ve 15A sürekli drain akımı ile tasarlanan bu transistör, 10V gate-source geriliminde 200mΩ on-direniş değerine sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan bileşen, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 100W güç dağıtımına dayanır. Gate yükü 38nC, giriş kapasitansi 1100pF olarak belirlenmiştir. P-Channel yapısı sayesinde yüksek-taraftaki anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Güç elektroptiği, motorlar ve enerji yönetim sistemlerinde sıkça yer alan bu transistör, voltaj regülatorleri, DC-DC konverterler ve anahtarlı güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 120 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1100 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 7.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok