Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQP12P10
MOSFET P-CH 100V 11.5A TO220-3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQP12P10
FQP12P10 Hakkında
FQP12P10, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source voltaj dayanımına ve 11.5A sürekli drain akımına sahip bu bileşen, güç anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan transistör, -55°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında çalışabilir. 290mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. Motor kontrol devreleri, güç kaynakları, yük kontrolü ve endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir. Maximum 75W güç tüketimi ile tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 800 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 75W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 290mOhm @ 5.75A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok