Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQP12N60C
MOSFET N-CH 600V 12A TO220-3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQP12N60C
FQP12N60C Hakkında
FQP12N60C, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 12A sürekli dren akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paket tipi ile mont edilir. 225W güç tüketim kapasitesine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında stabil performans sunar. RDS(on) değeri 10V gate geriliminde 650mOhm olup, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, ışık dimerleme sistemleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Gate threshold gerilimi 4V @ 250µA'dır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 63 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2290 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 225W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok