Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQP12N60

MOSFET N-CH 600V 10.5A TO220-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
FQP12N60

FQP12N60 Hakkında

FQP12N60, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 10.5A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 700mΩ maksimum on-state direnci ve 54nC gate charge değerleri ile anahtarlama devrelerinde verimli çalışır. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, invertörler ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında yer bulur. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. 10V gate sürme voltajında tam kapalı-açık anahtarlama karakteristiği gösterir. Through-hole montaj tipi ile PCB'ye doğrudan takılır. Kısa devre koruması ve termal yönetim için radikal uygulamalar gerekebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 700mOhm @ 5.3A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok