Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQP11P06
MOSFET P-CH 60V 11.4A TO220-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQP11P06
FQP11P06 Hakkında
FQP11P06, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 11.4A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu bileşen, güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 175mΩ maksimum on-state dirençi ile düşük güç kaybı sağlar. TO-220-3 kuzusu içinde sunulan bu transistör, -55°C ile 175°C arasında çalışır. Endüstriyel kontrolörler, motor sürücüler, güç yönetim devreleri ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak uygulanır. 10V sürücü voltajı ile kolayca kontrol edilebilir ve 53W maksimum güç dağıtımı yapabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 550 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 53W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 175mOhm @ 5.7A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok