Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQP11N50CF
MOSFET N-CH 500V 11A TO220-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQP11N50CF
FQP11N50CF Hakkında
FQP11N50CF, Rochester Electronics tarafından üretilen 500V yüksek voltaj N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 11A sürekli drenaj akımı ve 195W maksimum güç tüketimi kapasitesine sahiptir. 550mΩ maksimum Rds(On) değeri ile verimli iletim özellikleri sunar. Gate threshold gerilimi 4V olup, ±30V maksimum gate gerilim aralığında çalışır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına uyumludur. Endüstriyel güç kontrolü, motor sürücüleri, SMPS (Switch Mode Power Supply) devreleri ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Through-hole montajı sayesinde geleneksel PCB tasarımlarına uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 55 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2055 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 195W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 550mOhm @ 5.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok