Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQP11N40
MOSFET N-CH 400V 11.4A TO220-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQP11N40
FQP11N40 Hakkında
FQP11N40, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 400V Drain-Source gerilimi ve 11.4A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle güç uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç dönüştürücüleri, motor kontrol uygulamaları ve endüstriyel elektronik sistemlerde yer alır. 480mOhm maksimum Ron değeri ve geniş çalışma sıcaklığı aralığı (-55°C ~ 150°C) sayesinde çeşitli ortam koşullarında çalışabilir. 147W maksimum güç disipasyonu kapasitesi bulunmaktadır. Metal Oxide teknolojisi ile üretilen bu MOSFET, ±30V gate gerilimi toleransına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 400 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1400 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 147W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 480mOhm @ 5.7A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok