Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQP10N60C
MOSFET N-CH 600V 9.5A TO220-3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQP10N60C
FQP10N60C Hakkında
FQP10N60C, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source voltajı ve 9.5A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paket formatında sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve yüksek voltaj dönüştürücülerde kullanılır. 730mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 10V gate voltajında 57nC gate charge karakteristiği hızlı anahtarlama performansı sunar. -55°C ile 150°C arasındaki çalışma sıcaklık aralığı geniş uygulama yelpazesini destekler. Maksimum 156W güç yayınlayabilir. Uygulamada ±30V gate voltajı toleransı ile çalışır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 57 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2040 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 156W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 730mOhm @ 4.75A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok