Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQP10N20L
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQP10N20L
FQP10N20L Hakkında
FQP10N20L, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 200V drain-source gerilimi ve 10A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek güç uygulamalarında anahtar görevini yerine getirir. TO-220-3 paket tipinde sağlanan transistör, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. 87W maksimum güç tüketimi ile motor kontrolü, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel inverter uygulamalarında kullanılır. 360mOhm maksimum on-direnci ve düşük gate charge karakteristikleri ile verimli anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 830 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 87W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok