Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQP10N20C
MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220-3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQP10N20C
FQP10N20C Hakkında
FQP10N20C, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ve 9.5A sürekli drain akımı ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate sürüş geriliminde 360mΩ maksimum açık durumu direncine (RDS on) sahiptir. Anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde, motor kontrol uygulamalarında, DC-DC dönüştürücülerde ve güç yönetimi sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sunar. 26nC gate charge ve 510pF input capacitance ile hızlı anahtarlama yapabilir. Maksimum 72W güç tüketim kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 510 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 72W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360mOhm @ 4.75A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok