Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQP10N20
MOSFET N-CH 200V 10A TO220-3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQP10N20
FQP10N20 Hakkında
FQP10N20, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ve 10A sürekli dren akımı kapasitesiyle güç elektronik uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 87W güç dissipasyon kapasitesi, 360mOhm maksimum on-resistance değeri ve 18nC gate charge ile anahtarlama hızlı ve verimli uygulamalara imkan tanır. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, DC-DC konvertörleri, motor kontrol devreleri, güç anahtarları ve boost konvertörler gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygun hale getirir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 670 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 87W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok