Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQNL2N50BTA
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 0
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQNL2N50BTA
FQNL2N50BTA Hakkında
FQNL2N50BTA, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor) türü bir güç transistörüdür. 500V drain-source voltaj derecelendirmesi ve 350mA sürekli drenaj akımı kapasitesi ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 5.3Ω maksimum drain-source direnç (RDS ON) ve 8nC gate charge karakteristiği ile hızlı komütasyon sağlar. -55°C ile +150°C arası geniş çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans gösterir. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri, anahtarlamalı güç çevricileri ve yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. TO-92-3 paket tipi ile through-hole montajı destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 350mA (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 230 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.3Ohm @ 175mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.7V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok