Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQNL2N50BTA
MOSFET N-CH 500V 350MA TO92-3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQNL2N50BTA
FQNL2N50BTA Hakkında
FQNL2N50BTA, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilimi ve 350mA sürekli drenaj akımı kapasitesiyle orta güç uygulamalarında kullanıma uygundur. TO-92-3 paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate sürücü geriliminde 5.3Ω RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışan transistör, anahtarlama devreleri, güç yönetimi uygulamaları ve ses amplifikatörlerinde yaygın olarak kullanılır. 8nC gate yükü ve 230pF giriş kapasitansi hızlı komütasyon sağlar. Bileşen üretimi durdurulmuş (obsolete) olup, mevcut stok kısıtlıdır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 350mA (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 230 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.3Ohm @ 175mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.7V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok