Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQNL2N50BBU

MOSFET N-CH 500V 350MA TO92-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
FQNL2N50B

FQNL2N50BBU Hakkında

FQNL2N50BBU, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilim dayanımı ve 350mA sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. TO-92-3 paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama uygulamalarında ve düşük-orta güç devrelerinde kullanılır. 10V kapı gerilimi ile 5.3Ω on-state direnci sunar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. 1.5W maksimum güç tüketimi ve düşük kapı yükü (8nC) ile röle sürücüleri, anahtarlama güç kaynakları ve motor kontrol devrelerinde uygulanabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 350mA (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 230 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.3Ohm @ 175mA, 10V
Supplier Device Package TO-92-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.7V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok