Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQNL1N50BTA
MOSFET N-CH 500V 270MA TO92-3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQNL1N50BTA
FQNL1N50BTA Hakkında
FQNL1N50BTA, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 500V drain-source gerilimi ve 270mA sürekli drain akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-92-3 paketinde temin edilen bu bileşen, güç yönetimi, anahtarlama devreleri ve gerilim denetleme uygulamalarında yerini alır. 9Ohm maksimum on-resistance (RDS(On)) ile verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile 150°C işletme sıcaklık aralığında güvenilir çalışır. 1.5W maksimum güç tüketimi ile kontrollü uygulamalar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 270mA (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 150 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9Ohm @ 135mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.7V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok