Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQNL1N50BBU
MOSFET N-CH 500V 270MA TO92-3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQNL1N50BBU
FQNL1N50BBU Hakkında
FQNL1N50BBU, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 500V drain-source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 270mA sürekli dren akımı kapasitesi ile orta güç seviyesinde çalışan devrelere uygundur. 10V gate sürücü voltajında 9Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli iletim sağlar. TO-92-3 paketinde üretilen bu bileşen, analog anahtarlama, güç yönetimi ve motor kontrol uygulamalarında yer alır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 270mA (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 150 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9Ohm @ 135mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.7V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok